Сегодня Samsung объявила о начале массового производства первого в индустрии накопителя eUFS 2.1 емкостью в 1 Тб. Такой объем позволяет разместить на смартфоне, например, 260 10-минутных роликов, снятых в разрешении 4K (2160×3840). Наряду с 12 Гб оперативной памяти, 1 Тб флеш-памяти обещает стать трендом среди самых топовых смартфонов 2019 года. Одним из первых такую конфигурацию, если верить утечкам, получит Galaxy S10+, презентация которого состоится 20 февраля.

Особый интерес в сегодняшнем пресс-релизе Samsung вызывает таблица флеш-памяти, выпускаемой Samsung c 2012 года (начиная 128 Гб eMMC 4.5):

Память
Скорость последовательного чтения
Скорость последовательной записи
Скорость случайного чтения
Скорость случайной записи

1 Тб eUFS 2.1
(январь 2019)
1000 Мб/с
260 Мб/с
58,000 IOPS
50,000 IOPS

512 Гб eUFS 2.1 (ноябрь 2017)
860 Мб/с
255 Мб/с
42,000 IOPS
40,000 IOPS

eUFS 2.1 (сентябрь 2017)
850 Мб/с
150 Мб/с
45,000 IOPS
32,000 IOPS

256 Гб UFS (июль 2016)
530 Мб/с
170 Мб/с
40,000 IOPS
35,000 IOPS

256 Гб eUFS 2.0 (февраль 2016)
850 Мб/с
260 Мб/с
45,000 IOPS
40,000 IOPS

128 Гб eUFS 2.0 (январь 2015)
350 Мб/с
150 Мб/с
19,000 IOPS
14,000 IOPS

eMMC 5.1
250 Мб/с
125 Мб/с
11,000 IOPS
13,000 IOPS

eMMC 5.0
250 Мб/с
90 Мб/с
7,000 IOPS
13,000 IOPS

eMMC 4.5 (сентябрь 2012)
140 Мб/с
50 Мб/с
7,000 IOPS
2,000 IOPS

IOPS — операций ввода/вывода в секунду

Как видим, за шесть с небольшим лет флеш-память выросла в объеме со 128 Гб до 1 Тб (в 8 раз), скорость последовательного чтения — со 140 до 1000 Мб/с (в 7 раз), последовательной записи — с 50 до 260 Мб/с (в 5 раз), случайного чтения — с 7 до 58 тыс. IOPS (в 8 раз), случайной записи — с 2 до 50 тыс. IOPS (в 25 раз). Весьма впечатляюще, хотя надо признать в области мобильных процессоров прогресс гораздо более выдающийся — графическая производительность с 2010 года увеличилась в 1000 раз.

Samsung сравнивает свой новейший чип (его размер — 11.5×13.0 мм) также с распространенным среди ноутбуков и ПК твердотельным накопителем SSD (2.5″ SATA) — по сравнению с последним скорость последовательного чтения выросла в два раза. По сравнению с внешней microSD картой скорость последовательного чтения выше в 10 раз, случайной записи — в 500 раз.

Samsung

Источник: gadgets-news.ru